第1题:
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。
第2题:
硅半导体三极管不失真的电压放大时,其be结应加的直流电压与交流电压值约为()
第3题:
A、b增大,UBE增大,ICBO增大
B、b减小,UBE减小,ICBO减小
C、b增大,UBE减小,ICBO增大
D、b减小,UBE增大,ICBO减小
第4题:
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
第5题:
晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。
第6题:
用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V,则()
第7题:
已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少,且与温度之关系()
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
第10题:
硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态,那么,它一定具有以下特征:()。