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常温下,硅晶体三极管的UBE 约为0.7V,且随温度升高而减小。()

题目

常温下,硅晶体三极管的UBE 约为0.7V,且随温度升高而减小。()

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第1题:

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。

  • A、0.4V
  • B、0.5V
  • C、0.6V
  • D、0.7V

正确答案:B

第2题:

硅半导体三极管不失真的电压放大时,其be结应加的直流电压与交流电压值约为()

  • A、均为0.6~0.7V
  • B、前者为0.6~0.7V,后者约为百mV
  • C、前者为0.6~0.7V,后者约为几mV~十几mV
  • D、视具体情况而定

正确答案:C

第3题:

当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。

A、b增大,UBE增大,ICBO增大

B、b减小,UBE减小,ICBO减小

C、b增大,UBE减小,ICBO增大

D、b减小,UBE增大,ICBO减小


参考答案:C

第4题:

晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。


正确答案:正向导通;反向截止;0.7V;0.3V

第5题:

晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。


正确答案:正确

第6题:

用万用表测三电极的参数为UBE=0.7V、UCE=5V,则()

  • A、三极管是处于截止状态
  • B、三极管是PNP型
  • C、三极管是硅材料
  • D、三极管是处于饱和状态

正确答案:C

第7题:

已知常温下晶体二极管的工作点电流为2mA,则其交流等效电阻rd为多少,且与温度之关系()

  • A、13Ω、随温度加大而加大
  • B、13Ω、随温度加大而减小
  • C、26Ω、随温度加大而加大
  • D、26Ω、随温度加大而减小

正确答案:B

第8题:

常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错

第9题:

晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。


正确答案:伏安;0.7V;0.3V

第10题:

硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态,那么,它一定具有以下特征:()。

  • A、UBE在0.3V左右
  • B、UBE约为0.7伏
  • C、UCB>0
  • D、UC<0
  • E、UCB<0

正确答案:B,E

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