由于非等位基因相互作用而影响性状表现的现象叫(),互补作用F2代的表型分离比为(),抑制作用的F2表型分离比为(),显性上位F2的表型分离比为(),隐性上位F2的表型分离比为9:3:4。
第1题:
由于非等位基因相互作用而影响性状表现的现象叫基因互作,互补作用F2代的表型分离比为,抑制作用的F2表型分离比为13:3,显性上位F2的表型分离比为12:3:1,隐性上位F2的表型分离比为()
第2题:
电荷由于相互作用而分布在导体()的现象,叫做趋肤现象。
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
隐性上位作用F2代表现性状比值()。
第5题:
互补作用F2代表现性状比值()。
第6题:
由于导体之间的电磁场的相互作用而影响导体中电流分布的现象称为()。
第7题:
非等位基因在控制某一性状上所表现的相互作用,称为()。
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
抑制效应F2代表现性状比值()。
第10题:
所谓性状互补就是()