患者，男性，38岁，因死髓牙变色要求烤瓷冠修复1。除气时温度应为（）。A、高于烤瓷时温度10℃B、低于烤瓷时温度10℃C、低于烤瓷时温度4℃D、高于烤瓷时温度4℃E、与烤瓷时温度相同

自身釉烧结的温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

在全部温度范围内，烤瓷和烤瓷合金的温度膨胀系数之差必须在( )。

A、0.01%以内

B、5%以内

C、0.1%以内

D、1%以内

E、0.001%以内

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

A．预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B．预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C．现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D．现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E．现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

金属基底冠除气的方法是

A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

PFM冠上釉时的炉温是

A、与体瓷的烧结温度相同

B、低于体瓷烧结温度6～8℃

C、低于体瓷烧结温度10～20℃

D、高于体瓷烧结温度6～8℃

E、高于体瓷烧结温度10～20℃

用釉粉上釉的烧结温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！

除气、氧化的方法是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面