对高能X射线剂量建成区,描述正确的是()
第1题:
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线
A、能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少
B、能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度增加
C、能量增大时,表面剂量减少,建成区变窄,最大剂量深度增加
D、能量增大时,表面剂量增加,建成区增宽,最大剂量深度增加
E、能量减少时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度减少
第2题:
不属于高能电子束百分深度剂量的是()
第3题:
高能电子束的PDD曲线可大致分为
A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区
B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区
C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区
D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
第4题:
关于剂量建成区形成的原因,错误的是()
第5题:
高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()
第6题:
关于建成效应的描述,错误的是()
第7题:
硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。
第8题:
对高能X射线剂量建成区,描述正确的是
A、一般使肿瘤位于建成区之前
B、一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前
C、肿瘤中心通过剂量最大点
D、最大剂量建成深度随射线能量增加而增加
E、最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
第9题:
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。
第10题:
有关TBI射线能量的选择,以下不正确的是()