晶体三级管电流放大的偏置条件是()。
第1题:
A.发射结正向偏置,集电结正向偏置
B.发射结正向偏置,集电结反向偏置
C.发射结反向偏置,集电结正向偏置
D.发射结反向偏置,集电结反向偏置
第2题:
A.发射结处于正向偏置
B.集电结处于反向偏置
C.晶体管工作于放大状态也称为线性区
D.放大区具有电流放大作用
第3题:
晶体管工作在放大状态的条件是( )。
A.发射结反向偏置,集电结反向偏置
B.发射结反向偏置,集电结正向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置
D.发射结正向偏置,集电结正向偏置
第4题:
为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。
第5题:
A.掺杂少
B.鼠掺杂多
C.纯净
D.不掺杂
第6题:
A、产生饱和失真,应增大偏置电流IB
B、产生饱和失真,应减小偏置电流IB
C、产生截止失真,应增大偏置电流IB
D、产生截止失真,应减小偏置电流IB
第7题:
第8题:
A.发射结要正向偏置
B.发射结要正向偏置,集电结要反向偏置
C.集电结要反向偏置
D.发射结要反向偏置,集电结要正向偏置
第9题:
PNP型三级管放大电路中测的发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为()
第10题:
晶体三级管放大作用的实质是一种()控制作用。