斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。
第1题:
纵波声场存在近场区,横波声场不存在近场区。
第2题:
斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。
第3题:
关于声场的特性,下述正确的是
A、近场区长度与探头半径和频率成正比
B、近场区横向分辨率低于远场区
C、近场区声束呈喇叭形
D、近场区横断面上能量分布基本均匀
E、远场区声束直径小于近场区
第4题:
直探头近场区在两种介质中的分布用N表示:()。
第5题:
面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片,超声场的近场区场区相同()
第6题:
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。
第7题:
横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。
第8题:
第9题:
频率、晶片尺寸等条件相同时,在同一介质中,横波声束指向性比纵波差。
第10题:
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而缩短。