无损检测技术资格人员考试
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E、除A以外都对
题目
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
- A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
- B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
- C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
- D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
- E、除A以外都对
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案
第1题：
关于零点漂移产生的原因下列叙述正确的是（）。
- A、电路元件本身缺陷
- B、电源电压波动
- C、电路级数过多
正确答案:A,B,C
第2题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关
正确答案:错误
第3题：
下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
- A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
- B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
- C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降
- D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
正确答案:C
第4题：
试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时，缺陷漏磁通开始急剧增大
正确答案:正确
第5题：
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的
- A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关
- B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小
- C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
- D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
- E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
- F、c，d和e都对
正确答案:F
第6题：
下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
- A、与试件上总的磁通密度有关
- B、与缺陷自身高度有关
- C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
- D、以上都对
正确答案:D
第7题：
试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大
正确答案:80
第8题：
当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。
正确答案:正确
第9题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关
正确答案:磁通密度；几何形状；方向
第10题：
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
- A、它与试件上的磁通密度有关
- B、它与缺陷的高度有关
- C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
- D、以上都对
正确答案:D