在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。
第1题:
在N型半导体中若掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。
第2题:
在本征半导体中掺入部分数量的()元素,就得到N型半导体。
第3题:
A、P,N
B、N,P
C、P,P
D、N,N
第4题:
在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成()。
第5题:
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。
第6题:
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。
第7题:
在硅(或锗)本征半导体中掺入微量的()元素,就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体,即n型半导体。
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
在本征硅(或锗)中掺入微量的()价元素,便可形成N型半导体。
第10题:
在本征半导体内掺入微量的3价元素,可形成()型杂质半导体。其中的多子是()