仪表工考试
在NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=0V，Ub=0.7V，Uc=5V，那么此三极管工作在（）区。A、放大B、饱和C、截止D、集电
题目
在NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=0V，Ub=0.7V，Uc=5V，那么此三极管工作在（）区。
- A、放大
- B、饱和
- C、截止
- D、集电
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相似问题和答案
第1题：
某放大电路中，测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V，则这只三极管是（ ）。
A．NPN型锗管
B．NPN型硅管
C．PNP型锗管
D．PNP型硅管
B．NPN型硅管
C．PNP型锗管
D．PNP型硅管
答案：C
解析：
硅管的正向压降为0.6～0.8V，锗管的正向压降为0.2～0.4V，由题干可得该三极管压降为0.7V，为硅管。晶体管工作于放大状态的外部条件是：发射结正偏，集电结反偏。三个电极的电位关系是：NPN型UC＞UB＞UE，PNP型UC＜UB＜UE。本题中UE＝10V＞UB＝9.3V，因此，该三极管为PNP型。
第2题：
在NPN型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是（）。
- A、截止
- B、饱和
- C、放大
- D、无法判定
正确答案:A
第3题：
下列关于Sub过程的叙述正确的是A.一个Sub过程必须有一个Exie Sub语句B.一个Sub过程必须有一个Enb Sub语句C.在Sub过程中可以定义一个Function过程D.可以用Goto语句退出Sub过程
正确答案：B
【解析】每个Sub过程必须以Sub开始，以End Sub结束；Exit Sub语句使程序立即从一个Sub过程中退出，在Sub过程中可以使用一个或多个Exit Sub语句，也可以没有Exit Sub语句，因此选项A）错误，选项B）正确。在Sub过程中不能嵌套定义Sub过程或者Function过程，不能使用Goto语句进入或转出一个Sub过程，因此选项C）、D）说法是错误的。
【解析】每个Sub过程必须以Sub开始，以End Sub结束；Exit Sub语句使程序立即从一个Sub过程中退出，在Sub过程中可以使用一个或多个Exit Sub语句，也可以没有Exit Sub语句，因此选项A）错误，选项B）正确。在Sub过程中不能嵌套定义Sub过程或者Function过程，不能使用Goto语句进入或转出一个Sub过程，因此选项C）、D）说法是错误的。
第4题：
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）
- A、深度饱和
- B、将截止
- C、集电极正偏
- D、发射结反偏
正确答案:B
第5题：
在NPN晶体三极管组成的共射极放大电路中，如果测得UCE小于或等于UBE，该三极管处于（）状态。
- A、截止
- B、放大
- C、饱和
- D、无法确定
正确答案:C
第6题：
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
答案：C
解析：
第7题：
今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4V和9V，说明这个晶体三极管是NPN型硅管。
正确答案:错误
第8题：
测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1=3V,U2=8V,U3=3.7V,则该三极管为()。
A.NPN型Si管
B.NPN型Ge管
C.PNP型Si管
D.PNP型Ge管
正确答案：A
第9题：
在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，下列哪种说法正确（）。
- A、晶体三极管将深度饱和
- B、晶体三极管理将截止
- C、晶体三极管理的集电结将是正偏
- D、晶体三极管理发射结将反偏
正确答案:B
第10题：
在一NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=8V，Ub=0.7V，Uc=12V，那么此三极管工作在（）区。
- A、放大
- B、饱和
- C、截止
- D、集电
正确答案:C