邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。
第1题:
斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。
第2题:
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。
第5题:
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而缩短。
第6题:
当波源直径一定,探头频率增加时,其近场区长度()。
第7题:
近场区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。
第8题:
其它条件相同时,钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。
第9题:
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而()。
第10题:
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。