电子与通信技术
EPROM器件与EEPROM器件的主要区别是什么？说明它们的主要应用场合。
题目
EPROM器件与EEPROM器件的主要区别是什么？说明它们的主要应用场合。
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相似问题和答案
第1题：
构成计算机系统内存的主要存储器件是（ ）。
A.SRAM B.DRAM C.PROM D.EPROM
正确答案：B
第2题：
请说明SMT中元器件贴片机的主要结构是什么？
正确答案: 贴片机的基本结构包括设备本体、片状元器件供给系统、印制板传送与定位装置、贴装头及其驱动定位装置、贴装工具（吸嘴）、计算机控制系统等。贴片机的设备本体是用来安装和支撑贴装机的底座，一般采用质量大、振动小、有利于保证设备精度的铸铁件制造。
贴装头也叫吸－放头，是贴装机上最复杂、最关键的部分，它相当于机械手，它的动作由拾取－贴放和移动－定位两种模式组成。第贴装前，将各种类型的供料装置分别安装到相应的供料器支架上。随着贴装进程，装载着多种不同元器件的散装料仓水平旋转，把即将贴装的那种元器件转到料仓门的下方，便于贴装头拾取
电路板定位系统可以简化为一个固定了电路板的X-Y二维平面移动的工作台。
计算机控制系统是指挥贴片机进行准确有序操作的核心，目前大多数贴片机的计算机控制系统采用Windows界面。可以通过高级语言软件或硬件开关，在线或离线编制计算机程序并自动进行优化，控制贴片机的自动工作步骤。
第3题：
图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是
A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM
B．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROM
C．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROM
D．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM
正确答案：A
解析：本题考查主存储器的基本知识。PROM，EPROM，EEPROM，Flash ROM都是常见的ROM类型。
解析：本题考查主存储器的基本知识。PROM，EPROM，EEPROM，Flash ROM都是常见的ROM类型。
第4题：
EEPROM与UV-EPROM比，其优点是什么？
正确答案:与UV-EPROM比，用电实现擦除的PROM（Electrically Erasable Programmable ROM，EEPROM）有许多优势。其一它是用电来擦除原有信息，因此可实现瞬间擦除，不像UV-EPROM需要20分钟左右的擦除时间。此外，使用者还可以有选择地擦除某个具体字节单元内的内容，而不像UV-EPROM那样，擦除的是整个芯片的所有内容。而EEPROM的最主要优点是使用者可直接在电路板上对其进行擦除和编程，而不需要额外的擦除和编程设备。要充分利用EEPROM的特点，系统设计者必需在电路板上设置对EEPROM进行擦除和编程的电路。对EEPROM的擦除一般需要使用12.5伏的电压（即在VPP引脚上要加有12.5伏的电压）。但现在也有VPP为5~7伏的EEPROM产品，只不过价格要贵一些。
第5题：
试总结电子元器件大致分为几代；对电子元器件的主要要求是什么？
正确答案: 电子元器件大致分为三代：
电子管时代，半导体晶体管时代，半导体集成电路时代。对电子元器件的主要要求是：可靠性高、精确度高、体积微小、性能稳定、符合使用环境条件等。
第6题：
构成计算机系统内存的主要存储器件是( )。
A.SRAM
B.DRAM
C.PROM
D.EPROM
B.DRAM
C.PROM
D.EPROM
答案：B
解析：
本题考查计算机系统基础知识。
随机存储器(RAM)分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)两类。其中，SRAM速度快，不需要刷新操作，缺点是集成度低价格高，在主板上不能作为用量较大的主存。DRAM是最为常见的内存储器，采用电容存储，其数据只能保持很短的时间，每隔一段时间需要刷新充电1次，否则内部的数据会丢失。
对于可编程的只读存储器(Programmable Read Only Memory，PROM)，其内容可以由用户一次性地写入，写入后不能再修改。可擦除可编程只读存储器(ErasableProgrammable Read Only Memory，EPROM)的内容既可以读出，也可以由用户写入，写入后还可以修改。常见的改写方法是先用紫外线照射15～20分钟以擦去所有信息，然后再用特殊的电子设备写入信息。
随机存储器(RAM)分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)两类。其中，SRAM速度快，不需要刷新操作，缺点是集成度低价格高，在主板上不能作为用量较大的主存。DRAM是最为常见的内存储器，采用电容存储，其数据只能保持很短的时间，每隔一段时间需要刷新充电1次，否则内部的数据会丢失。
对于可编程的只读存储器(Programmable Read Only Memory，PROM)，其内容可以由用户一次性地写入，写入后不能再修改。可擦除可编程只读存储器(ErasableProgrammable Read Only Memory，EPROM)的内容既可以读出，也可以由用户写入，写入后还可以修改。常见的改写方法是先用紫外线照射15～20分钟以擦去所有信息，然后再用特殊的电子设备写入信息。
第7题：
常见的3AG和3DG系列管的主要区别是（）。
- A、器件的耐压不同
- B、器件的类型不同
- C、器件的本体材料不同
- D、都不是
正确答案:C
第8题：
图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是
A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROM
B．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROM
C．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROM
D．FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM
正确答案：A
第9题：
请列举三种可编程逻辑器件：EEPROM、（）、FPGA。
正确答案:GAL
第10题：
叙述EPROM的编程过程，说明EEPROM的编程过程。
正确答案:PROM的编程有两种方式，即标准编程和灵巧编程两种方式。标准编程的过程为：使Vcc为+5v，Vpp加上+21v。而后，加上要编程的单元地址，数据线加上要写入的数据，使CE保持低电平，OE为高电平。当上述信号稳定后，在PGM端加上50±5ms的负脉冲。这样就将一个字节的数据写到了相应的地址单元中。重复上述过程，即可将要写入的数据逐一写入相应的存储单元中。灵巧编程方式要比标准方式快5倍左右。当加上Vcc=5v，Vpp=21v后，对一个写入地址，用1ms编程脉冲进行编程，接着进行校验，如不成功，再加1ms编程脉冲。最多可进行15次，若15次仍不能将数据正确写入，则认为芯片本身已损坏。若某一单元用X次1编程脉冲已正确写入，校验到这种情况后，立即对该单元加入4倍X的编程覆盖脉冲，则认为该单元编程已完成。重复上述过程，将所有要写入的单元编程。将数据写入EEPRO有M两种方式，即字节方式和自动页写入。在对EEPRO编M程时，可以在线操作。