硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
第3题:
A、0.1
B、0.7
C、0.2
D、0.5
第4题:
硅二极管的死区约为()V左右。
第5题:
第6题:
B、0.3
C、0.5
D、0.7
第7题:
第8题:
A. 0.1
B. 0.7
C. 0.2
D. 0.5
第9题:
小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。
第10题:
硅半导体二极管的死区电压约为()。
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
填空题硅管的死区电压()伏,锗管的死区电压约为()伏。
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
硅二极管的死区电压约为()。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?