电子与通信技术

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

题目

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

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相似问题和答案

第1题:

硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第2题:

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。


参考答案:0.2~0.3 0.6~0.7

第3题:

硅二极管的死区电压约为()伏。

A、0.1

B、0.7

C、0.2

D、0.5


参考答案:D

第4题:

硅二极管的死区约为()V左右。

  • A、0.2
  • B、零
  • C、0.5
  • D、2

正确答案:C

第5题:

二极管当中,硅管的开启电压约为( )V,锗管约为( )V。

A.0.10.2
B.0.20.3
C.0.50.1
D.0.50.4

答案:C
解析:
这个一定数值的正向电压称为开启电压,其大小与材料及环境温度有关。通常硅管的开启电压约为0.5V,锗管约为0.1V。

第6题:

锗材料二极管的死区电压为()V。

A、0.1

B、0.3

C、0.5

D、0.7


参考答案:A

第7题:

一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错

第8题:

锗二极管的死区电压约为()伏。

A. 0.1

B. 0.7

C. 0.2

D. 0.5


参考答案:C

第9题:

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。

  • A、0.4V
  • B、0.5V
  • C、0.6V
  • D、0.7V

正确答案:B

第10题:

硅半导体二极管的死区电压约为()。

  • A、0.2V
  • B、1.2V
  • C、0.5V
  • D、1.5V

正确答案:C