第1题:
PN宽度稳定后,()。
第2题:
半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。
第3题:
A、将P型和N型半导体掺杂
B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散
C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散
D、多数载流子与少数载流子相互扩散
第4题:
半导体中的漂移运动是由于载流子()而引起的。
第5题:
整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。
第6题:
PN结的宽度稳定后()。
第7题:
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()
第8题:
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
第9题:
P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。
第10题:
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。