电子与通信技术

半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。

题目

半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。

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相似问题和答案

第1题:

PN宽度稳定后,()。

  • A、载流子停止运动
  • B、只有多数载流子的扩散运动
  • C、扩散与漂移运行达到动态平衡
  • D、只有少数载流子的漂移运动

正确答案:C

第2题:

半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。


正确答案:光照射;电子;空穴

第3题:

PN结是()形成的。

A、将P型和N型半导体掺杂

B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散

C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散

D、多数载流子与少数载流子相互扩散


参考答案:B

第4题:

半导体中的漂移运动是由于载流子()而引起的。


正确答案:在电场的作用下

第5题:

整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。


正确答案:蓄存效应

第6题:

PN结的宽度稳定后()。

  • A、载流子停止运动
  • B、只有多数载流子的扩散运动
  • C、扩散与漂移运动达到动态平衡

正确答案:C

第7题:

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()

  • A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散
  • B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移
  • C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散
  • D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

正确答案:D

第8题:

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。

  • A、自由电子,空穴;扩散,飘移 
  • B、空穴,自由电子;漂移,扩散 
  • C、空穴,自由电子;扩散,漂移 
  • D、自由电子,空穴;漂移,扩散 
  • E、自由电子,空穴;扩散,扩散

正确答案:C

第9题:

P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。


正确答案:空穴

第10题:

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。


正确答案:电子;空穴;空穴;电子;电子;空穴