电子与通信技术
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相似问题和答案
第1题：
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型
第2题：
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
- A、耗尽型管
- B、增强型管
- C、绝缘栅型
- D、无法确定
正确答案:A
第3题：
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
参考答案：A
第4题：
场效应管的类型有（）。
- A、结型场效应管
- B、绝缘栅型场效应管
- C、N沟道增强型MOS管
- D、P沟道增强型MOS管
- E、N沟道耗尽型MOS管
- F、P沟道耗尽型MOS管
正确答案:A,B
第5题：
场效应管放大电路以（）之间的信号作为输入信号。
- A、栅极和漏极
- B、栅极和源极
- C、漏极和源极
- D、基极和发射极
正确答案:B
第6题：
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
参考答案：AB
第7题：
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
正确答案:错误
第8题：
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
参考答案：A
第9题：
结型场效应管的类型有（）。
- A、N沟道结型场效应管
- B、P沟道结型场效应管
- C、N沟道增强型MOS管
- D、P沟道增强型MOS管
- E、N沟道耗尽型MOS管
- F、P沟道耗尽型MOS管
正确答案:A,B
第10题：
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。
- A、N沟道结型管
- B、增强型MOS管
- C、耗尽型MOS管
- D、P沟道结型管
正确答案:B