有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

题目

参考答案和解析

正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（2¹⁶×2⁴）/（2¹⁴）=2²⁰/2¹⁴=26=64片
2）2ms÷128=15.625μs
3）128×500ns=64μs

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第1题：

有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

答案：(1)存储器的总容量为16K×16位=256K位，所以用DRAM芯片为1K×4位=4K位，故芯片总数为：256K位/4K位=64片
(2)采用异步刷方式，在2ms时间内分散地把芯片64行刷新一遍，故刷新信号的时间间隔为2ms/64=31.25μs，即可取刷新信号周期为30μs。
(3)如采用集中刷新方式，假定T为读/写周期，如16组同时进行刷新，则所需刷新时间为64T。设T单位为μs，2ms=2000μs，则死时间率=(64T/2000)×100%。

第2题：

DRAM存储器芯片只要不关电源，信息就不会丢失。()

正确答案：错

第3题：

关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。

A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器，从而使DRAM芯片的性能得到显著改进

B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开

C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新

D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的，允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作

正确答案：B

第4题：

下面与半导体存储器相关的叙述中，错误的是

A．RAM芯片和ROM芯片一样，即使芯片断电，其中的内容也能保持不变

B．CPU中的cache存储器由SRAM组成

C．DRAM的存取速度比SRAM慢

D．数码相机使用的存储卡由Flash存储器组成

正确答案：A

第5题：

若内存RAM的容量为64K,字长为16位的存储器,所采用的芯片16K×1bit的芯片,共需()个芯片。

A.4×4个

B.4×32个

C.4×8个

D.4×16个

参考答案：D

第6题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新通常情况下，哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错，无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

第7题：

某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

正确答案：(1)采用字位扩展方式。(2)芯片数量为(8K/2K)×(8位/4位)=4×2=8片(3)(16K/1K)×(16位/4位)=16×4=64片

第8题：

巳知DRAM2118芯片容量为16K×1位,若组成64KB的系统存储器,则组成的芯片组数和每个芯片组的芯片数为().()

A、2和8

B、1和16

C、4和16

D、4和8

参考答案：D
1

第9题：

用16K×4位的RAM芯片构成64K×4位存储需要(1)RAM芯片，(2)根地址线。

(38)

A．2

B．3

C．4

D．5

正确答案：C

第10题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。

A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ

答案：B

解析：

DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM，SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。

计算机组成原理

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