材料科学

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

题目

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

  • A、低于
  • B、等于或大于
  • C、大于
  • D、小于或等于
参考答案和解析
正确答案:B
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相似问题和答案

第1题:

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()


答案:对
解析:

第2题:

以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()

  • A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小
  • B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大
  • C、光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子
  • D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量

正确答案:C

第3题:

利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。

A、LED

B、LD

C、PIN

D、APD


正确答案:C,D

第4题:

在光的作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,引起物体电阻率的变化,这种现象称为()。

  • A、磁电效应
  • B、声光效应
  • C、光生伏特效应
  • D、光电导效应

正确答案:D

第5题:

用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

  • A、低于
  • B、等于或大于
  • C、大于

正确答案:B

第6题:

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。


正确答案:空穴

第7题:

符合226镭特点的是()

  • A、产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年
  • B、产生光子,平均能量1.25Mer,半衰期5.27年
  • C、产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天
  • D、产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年
  • E、产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

正确答案:A

第8题:

下列有关光子与物质相互作用描述正确的是()。

A、光子与物质原子核发生作用,产生光电效应

B、光子与物质原子的内壳层电子发生作用,产生充电效应

C、光子与物质原子的外壳层电子发生作用,产生光电效应

D、以上都不对


答案:B

第9题:

半导体陶瓷的物理效应:()、()、()、p-n结


正确答案:晶界效应(压敏效应、PTC效应);表面效应;西贝克效应

第10题:

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。


正确答案:电子

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