材料科学
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于
题目
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
- A、低于
- B、等于或大于
- C、大于
- D、小于或等于
参考答案和解析
正确答案:B
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相似问题和答案
第1题：
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
答案：对
解析：
第2题：
以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）
- A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小
- B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大
- C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子
- D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
正确答案:C
第3题：
利用反向偏压p－n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。
A、LED
B、LD
C、PIN
D、APD
正确答案:C,D
第4题：
在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为（）。
- A、磁电效应
- B、声光效应
- C、光生伏特效应
- D、光电导效应
正确答案:D
第5题：
用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
- A、低于
- B、等于或大于
- C、大于
正确答案:B
第6题：
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
正确答案:空穴
第7题：
符合226镭特点的是（）
- A、产生光子，平均能量0.83MeV，半衰期1590年
- B、产生光子，平均能量1.25Mer，半衰期5.27年
- C、产生光子，平均能量0.36MeV，半衰期74.2天
- D、产生电子，平均能量2.28MeV，半衰期28.1年
- E、产生中子，平均能量2.35MeV，半衰期2.65年
正确答案:A
第8题：
下列有关光子与物质相互作用描述正确的是()。
A、光子与物质原子核发生作用，产生光电效应
B、光子与物质原子的内壳层电子发生作用，产生充电效应
C、光子与物质原子的外壳层电子发生作用，产生光电效应
D、以上都不对
答案：B
第9题：
半导体陶瓷的物理效应：（）、（）、（）、p-n结
正确答案:晶界效应（压敏效应、PTC效应）；表面效应；西贝克效应
第10题：
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
正确答案:电子