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在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真A、截止失真B、饱和v失真C、双向失真D、线性失真
题目
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真
- A、截止失真
- B、饱和v失真
- C、双向失真
- D、线性失真
参考答案和解析
正确答案:B
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相似问题和答案
第1题：
在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。
A、NPN 型硅管
B、NPN 型锗管
C、PNP 型硅管
D、PNP 型锗管
正确答案:A
第2题：
由NPN型管构成的基本共射放大电路，若静态工作点偏低（即IBQ小，ICQ小），将容易产生（）失真。
正确答案:截止
第3题：
在NPN三极管构成的共发射极交流放大电路中,若静态工作点Q位置选得过高,易产生______失真,反之,Q点位置选得过低,易产生______失真。
参考答案：饱和;截止
第4题：
由三极管组成的放大电路，其直流负载和交流负载线相交于静态工作点。
正确答案:正确
第5题：
共发射极放大电路的静态工作点设置过低，易出现饱和失真。
正确答案:错误
第6题：
某放大电路中，测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V，则这只三极管是（ ）。
A．NPN型锗管
B．NPN型硅管
C．PNP型锗管
D．PNP型硅管
B．NPN型硅管
C．PNP型锗管
D．PNP型硅管
答案：C
解析：
硅管的正向压降为0.6～0.8V，锗管的正向压降为0.2～0.4V，由题干可得该三极管压降为0.7V，为硅管。晶体管工作于放大状态的外部条件是：发射结正偏，集电结反偏。三个电极的电位关系是：NPN型UC＞UB＞UE，PNP型UC＜UB＜UE。本题中UE＝10V＞UB＝9.3V，因此，该三极管为PNP型。
第7题：
共发射极放大电路的静态工作点设置得过低，易出现饱和失真。
正确答案:错误
第8题：
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
正确答案:A
第9题：
NPN管组成的共射放大电路，Q点设置太低，输出电压的波形会出现（）？
正确答案:截止失真
第10题：
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
- A、共发射极电路
- B、共集电极电路
- C、共基极电路
- D、三者差不多
正确答案:B