变电五通考试
下列关于电流比校核试验的描述，正确的是（）。A、电流比校核中，对采用一次绕组抽头改变电流比时，应对使用电流比进行校核B、电流比校核中，对采用一次绕组抽头改变电流比时，应对每组抽头进行变比校核C、电流比校核中，对采用二次绕组抽头改变电流比时，应对每组抽头进行变比校核D、电流比校核中，对采用二次绕组抽头改变电流比时，应对使用电流比进行校核
题目
下列关于电流比校核试验的描述，正确的是（）。
- A、电流比校核中，对采用一次绕组抽头改变电流比时，应对使用电流比进行校核
- B、电流比校核中，对采用一次绕组抽头改变电流比时，应对每组抽头进行变比校核
- C、电流比校核中，对采用二次绕组抽头改变电流比时，应对每组抽头进行变比校核
- D、电流比校核中，对采用二次绕组抽头改变电流比时，应对使用电流比进行校核
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案
第1题：
下列哪个项目为油浸式电流互感器的例行试验？（）
- A、油中溶解气体分析
- B、绕组电阻测量
- C、绝缘油试验
- D、电流比校核
正确答案:A
第2题：
下列关于CSD361液晶面板上显示的内容描述正确的是（）
- A、循环显示界面显示的是各个间隔电压电流的一次值
- B、模拟量菜单里面显示的是各个间隔电压电流的二次值
- C、电压、电流的角度均是以各自的A相为0度基准显示
- D、在变比信息菜单里面可以对各个间隔的变比进行修改
正确答案:A,B,C,D
第3题：
下列关于闪速存储器的速度描述正确的是()
A、比内存快
B、比磁盘快
C、比磁盘慢
D、比光盘慢
参考答案：B
第4题：
根据晶体三极管电流放大原理，下列论述正确的是（）大得多。
- A、集电极电流比发射极电流
- B、集电极电流比基极电流
- C、基极电流比发射极电流
- D、基极电流比集电极电流
正确答案:B
第5题：
电流比校核试验中，使用电流表时，应使仪表的指示刻度不小于量程的（）。
- A、1/3
- B、2/3
- C、1/2
- D、1/4
正确答案:B
第6题：
关于中试放大的规模，下列叙述正确的是（）
- A、比小型试验规模放大50～100倍
- B、比小型试验规模放大500～1000倍
- C、比小型试验规模放大10~50倍
- D、比小型试验规模放大100~500倍
正确答案:A
第7题：
下列关于欧姆定律描述正确的是（）（U—电压，R—电阻，I—电流）。
- A、U=RI
- B、R=U/I
- C、R=UI
- D、I=R/U
正确答案:A,B
第8题：
当无功补偿装置容量增大时，应进行断路器（）试验。
感性电流开合能力校核$; $容性电流开合能力校核$; $电流开合能力校核$; $耐压
答案：B
解析：
第9题：
关于下列开路中描述正确的是（）。
- A、电流恒等于零
- B、电流大小不确定
- C、电压恒等于零
- D、电阻大小不确定
正确答案:A
第10题：
电流比校核，电流发生器一次输出电流应（）被试设备额定电流的5%，其波形应为正弦波。
- A、不低于
- B、不高于
- C、低于
- D、高于
正确答案:A