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增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?

题目

增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?

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第1题:

丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负,若振荡管采用固定栅偏压,管子将恒处于饱和状态。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:×

第2题:

()场效应管能采取自偏压电路。

A、增强型和结型

B、耗尽型和结型

C、都不能

D、增强型和耗尽型


参考答案:B

第3题:

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。

A.结型管

B耗尽型MOS管

C增强型MOS管


正确答案:C

第4题:

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第5题:

零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()


正确答案:错

第6题:

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型


参考答案:A

第7题:

单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。

A.固定栅偏压

B.固定自偏压

C.栅极自给偏压

D.BC相结合


参考答案:A

第8题:

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第9题:

MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第10题:

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管


参考答案:AB