电气试验工考试
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。A、选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上B、外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性C、变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
题目
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
- A、选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上
- B、外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
- C、变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
参考答案和解析
正确答案:C
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相似问题和答案
第1题：
击穿强度高，介质损耗因数tgδ小的绝缘油，体积电阻一定小。
正确答案:错误
第2题：
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
正确答案: 应特别注意的外界影响因素有：
①电力设备绝缘表面脏污。
②电场干扰和磁场干扰。
③试验引线的设置位置、长度。
④温度与湿度。
⑤周围环境杂物等。
第3题：
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
正确答案:错误
第4题：
在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。
- A、电力设备绝缘表面脏污
- B、电场干扰和磁场干扰
- C、试验引线的设置位置—长度
- D、温度与湿度
- E、周围环境杂物等
正确答案:A,B,C,D,E
第5题：
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。
第6题：
测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管（）。
正确答案:应短接
第7题：
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的
- A、选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上；
- B、外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
- C、变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
- D、过零比较"检测方法：测量结果的分散性稍大
正确答案:C
第8题：
测量介质损耗因数，通常不易发现（）。
- A、整体受潮
- B、绝缘油劣化
- C、小体积试品的局部缺陷
- D、大体积试品的局部缺陷
正确答案:D
第9题：
测量介质损耗因数，通常能发现的设备绝缘缺陷是（）。
- A、整体受潮
- B、整体劣化
- C、小体积试品的局部缺陷
- D、大体积试品的局部缺陷
正确答案:A,B,C
第10题：
电力变压器、电抗器绕组绝缘介质损耗因数测量，必要时分别测量（）的绝缘介质损耗因数。
- A、被测绕组本体
- B、被测绕组对地
- C、被测绕组对其它绕组
- D、相邻绕组
正确答案:B,C