对于绝缘栅场效应管,无论增强型还是耗尽型,只要是N沟道器件,UDS应为负值,衬底接最低电位,UGS越向正值方向增大,硒越小
第1题:
A、N沟道和P沟道
B、H沟道和P沟道
C、N沟道和H沟道
D、Y沟道和H沟道
第2题:
A.P沟道耗尽型
B.P沟道增强型
C.N沟道耗尽型
D.N沟道增强型
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
第5题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第6题:
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第7题:
功率场效应晶体管一般为()。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
第8题:
A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
第9题:
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时,漏极电流Id=10mA,则该管的类型为()。
第10题:
结型场效应管可分为()。