对于集成电路型、微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是()。
第1题:
我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。
A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;
B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;
C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。
第2题:
第3题:
A.弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近
B.因保护中已采取了抗干扰措施,弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近
C.在弱信号线回路并接抗干扰电容后,弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近
第4题:
微机保护装置增强抗干扰能力应采取的方法是()。
第5题:
试述集成电路型保护或微机型保护的交流及直流电源来线的抗干扰措施。
第6题:
第7题:
为提高抗干扰能力,微机型保护的电流引入线,应采用屏蔽电缆,屏蔽层和备用芯应在开关场和控制室同时接地。()
第8题:
A.交流电源线必须经过抗干扰处理,直流电源线可以不用
B.直流电源线必须经过抗干扰处理,交流电源线可以不用
C.交、直流电源线均必须经过抗干扰处理
D.交、直流电源线均可不需要经过抗干扰处理
第9题:
外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空触点,进入保护后应经()。
第10题:
CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()