第1题:
决定TEG脱水深度最重要的因素是贫TEG浓度
第2题:
TEG装置腐蚀的重要化学因素是()。
第3题:
A、温度、压力、流量、TEG循环量
B、温度、物位、TEG浓度、TEG循环量
C、温度、压力、TEG浓度、TEG循环量
D、温度、压力、TEG浓度、含水量
第4题:
在KSN中引起3TEG005KA或4TEG006KA(8TEG001BA压力HI-HI)报警的原因有哪些,现场如何处理?
第5题:
在TEG再生过程中,采用共沸蒸馏法再生后贫TEG的浓度质量分数最高可达到()。
第6题:
三甘醇脱水再生时通常要加入干气汽提,其主要目的是()。
第7题:
酸性气体对三甘醇脱水的影响有()。
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
简述TEG含氧回路与DVN的关系。
第10题:
简述TEG系统的工作原理。