MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。
第1题:
A.发射极,基极,集电极;
B.发射极,栅极,集电极;
C.源极,栅极,漏极;
D.阴极,门极,阳极。
第2题:
一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。
第3题:
A、栅源电压控制漏极电流
B、栅源电压控制漏极电压
C、栅极电流控制漏极电流
D、栅极电流控制漏极电压
第4题:
MOS管的栅极可与双极型三极管的()相对应。
第5题:
MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
第6题:
A、栅极电流
B、栅源电压
C、源极电压
D、源极电流
第7题:
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。
第8题:
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第9题:
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制.
第10题:
MOS管的栅极与双极型三极管的相对应()