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一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）A、非饱合区B、饱合区C、击穿区D、高阻区
题目
一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）
- A、非饱合区
- B、饱合区
- C、击穿区
- D、高阻区
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相似问题和答案
第1题：
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
参考答案：正确
第2题：
N沟道场效应管由N型半导体组成()
此题为判断题(对，错)。
答案：对
第3题：
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
参考答案：A
第4题：
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
正确答案:正确
第5题：
结型场效应管可分为（）。
- A、MOS管和MNS管
- B、N沟道和P沟道
- C、增强型和耗尽型
- D、NPN型和PNP型
正确答案:B
第6题：
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
参考答案：AB
第7题：
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
- A、耗尽型管
- B、增强型管
- C、绝缘栅型
- D、无法确定
正确答案:A
第8题：
场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。
A、N沟道和P沟道
B、H沟道和P沟道
C、N沟道和H沟道
D、Y沟道和H沟道
参考答案：A
第9题：
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
正确答案:错误
第10题：
结型场效应管的类型有（）。
- A、N沟道结型场效应管
- B、P沟道结型场效应管
- C、N沟道增强型MOS管
- D、P沟道增强型MOS管
- E、N沟道耗尽型MOS管
- F、P沟道耗尽型MOS管
正确答案:A,B