集成电路制造工艺员
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B、氧化的速度慢C、生长的二氧化硅缺陷多D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
题目
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
- A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
- B、氧化的速度慢
- C、生长的二氧化硅缺陷多
- D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
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第1题：
二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
正确答案:①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密；
②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）；
③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）；
④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等；
⑤选择性扩散掺杂的掩膜。
第2题：
二氧化硅膜的质量要求有（）。
- A、薄膜表面无斑点
- B、薄膜中的带电离子含量符合要求
- C、薄膜表面无针孔
- D、薄膜的厚度达到规定指标
- E、薄膜厚度均匀，结构致密
正确答案:A,B,C,D,E
第3题：
下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关
A．二氧化硅含量
B．结合型二氧化硅
C．二氧化硅浓度
D．二氧化硅分散度
E．接触二氧化硅的工龄
正确答案：B
(答案：B)结合型二氧化硅(硅酸盐)可引起硅酸盐肺。
(答案：B)结合型二氧化硅(硅酸盐)可引起硅酸盐肺。
第4题：
球团矿的碱度是指球团矿中（）的比值。
- A、二氧化硅含量与氧化钙含量
- B、氧化钙含量与二氧化硅含量
- C、二氧化硅含量与氧化镁含量
- D、氧化镁含量二氧化硅与含量
正确答案:B
第5题：
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
- A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
- B、生长的二氧化硅干燥
- C、生长的二氧化硅结构致密
- D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
- E、生长的二氧化硅掩蔽能力强
正确答案:A,B,C,D,E
第6题：
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
- A、干氧氧化
- B、湿氧氧化
- C、水汽氧化
- D、与氧化方法无关
正确答案:A
第7题：
二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
- A、降低
- B、增加
- C、不变
- D、先降低后增加
正确答案:A
第8题：
哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强
A、游离二氧化硅
B、结合二氧化硅
C、结晶型游离二氧化硅
D、隐晶型游离二氧化硅
E、无定型游离二氧化硅
参考答案：C
第9题：
二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
- A、比色法
- B、双光干涉法
- C、椭圆偏振光法
- D、腐蚀法
- E、电容-电压法
正确答案:A,B,C,D,E
第10题：
（）是通过纯碱和芒硝引入玻璃配合料成分中的。
- A、氧化钾
- B、氧化钠
- C、二氧化硅
- D、氧化钙
正确答案:B