平板显示技术考试

简述a-Si:H TFT驱动OLED面临的困难,实现a-Si:H TFT驱动的解决办法?

题目

简述a-Si:H TFT驱动OLED面临的困难,实现a-Si:H TFT驱动的解决办法?

如果没有搜索结果,请直接 联系老师 获取答案。
如果没有搜索结果,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

大尺寸是TFT-LCD产业发展的方向,未来TFT-LCD产品的竞争主要集中在哪些方面?


答案:尺寸、工艺、材料等方面。

第2题:

具有更轻、更薄,可视角度大,并且显著节省电能的终端显示屏类型为()

A.TFT屏幕

B.TFD屏幕

C.UFB屏幕

D.OLED屏幕


参考答案:D

第3题:

关于业务流模板TFT,以下描述错误的是哪项()。

A.每个承载都有相应的TFT模板

B.PGW保存DL TFT,将SDF绑定到下行EPS承载

C.UE保存UL TFT,将SF绑定到上行EPS承载

D.TFT只能匹配某些准则的分组


答案:A

第4题:

TFT-LCD采用了()的方式来驱动。

  • A、“主动式矩阵”
  • B、“被动式矩阵”
  • C、“主动式驱动”
  • D、“被动式驱动”

正确答案:A

第5题:

简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。


正确答案:关键的TFT性能要求是:
1)更高的迁移率。对AMOLED显示,要求阵列基板的驱动TFT有较大的电流流过的能力,也就是要求TFT具有更高的开态电流。在适合的开关比下,要有更高的载流子迁移率,一般需要≥1cm2/Vs,最好达到5cm2/Vs以上;
2)更高的均匀性和稳定性。为保证显示效果,需要控制流过每一个OLED器件电流的均匀性和稳定性。因此,要求阵列基板上不同区域内的TFT特性具有更高的均匀性和稳定性。稳定性一般要求阈值电压的偏移△VTH<1V。

第6题:

OLED按驱动方式可分为无源驱动和有源驱动两类。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第7题:

简述TFT-LCD的工作原理。


正确答案:TFT液晶显示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行扫描和列寻址线,构成一个矩阵,在其交点上制作出TFT有源器件和像素电极。同一行中与各像素串连的场效应管(FET)的栅极是连在一起的。而信号电极Y将同一行中各FET的漏极连在一起。而FET的源极则与液晶的像素电极相连。为了增加液晶像素的驰豫时间,还对液晶像素并联上一个合适电容。
当扫描到某一行时,扫描脉冲使该行上的全部FET导通。同时各列将信号电压施加到液晶像素上,即对并联电容器充电。这一行扫描过后,各FET处于开路状态,不管以后列上信号如何变化,对未扫描行上的像素都无影响,即信号电压可在液晶上保持接近一帧时间,使占空比达到百分之百,而与扫描行数无关。

第8题:

在《外商投资产业指导目录》(2017年修订)中,不属于鼓励外商投资的产业为()。

A.TFT-LCD、PDP、OLED等平板显示屏

B.6代及6代以下TFT-LCD玻璃基板

C.线宽28纳米及以下大规模数字集成电路制造

D.0.11微米及以下模拟、数模集成电路制造


正确答案:D

第9题:

TFT-060/B型调节组件是如何实现双向无扰切换的?


正确答案: TFT-060/B型调节组件是通过本机上的自动/手动切换电路及操作器(如TFC-060/B)型来实现双向无扰切换的。
当调节组件切换开关在自动位置时,继电器K1、K2、K3激励,调节组件处于自动状态,按PID调节规律输出自动信号。
当调节组件切换开关在手动位置时,虽然继电器K1、K2、K3失电,但由于积分电路的保持电容C6上贮存着电压,保持了切换前调节组件的输出电压,故切换是无扰的。
当调节系统通过操作器进行手动操作时,继电器K1激励,手动信号通过电阻R26对集成运算放大器AJ进行积分式的增加或减小,调节组件输出电压随手动信号的大小变化,实现了调节组件的输出跟踪手动信号。
当操作器由手动转向自动位置,使调节组件由手动转向自动位置时,由于积分电路的保持作用,调节组件输出不会发生变化,切换也是无扰的。

第10题:

什么叫TFT技术?TFT技术的主要特点是什么?


正确答案: TFT技术是20世纪90年代发展起来的、采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制技术,是液晶(LC.、无机和有机薄膜电致发光(EL和OEL)平板显示器的基础。
TFT技术的主要特点有:
①大面积。自十几年前第一代大面积玻璃基板(300mm×400mm)TFTLCD生产线投产,到近年来投入运行的产品,玻璃基板的面积已经扩大到(950mm×1200mm),原则上面积的限制已经不是问题。
②高集成度。用于液晶投影的1.3inTFT芯片的分辨率为XGA,含有百万个像素。分辨率为SXGA(1280×1024)的16.1英寸的TFT阵列非晶体硅的膜厚只有50nm,包括TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术在内,其IC的集成度、对设备和供应技术的要求,难度都超过传统的LSI。
③功能强大。TFT最早作为矩阵选址电路,改善了液晶的光阀特性。对于高分辨率显示器,通过0~6V范围的电压调节(典型值0.2~4V),实现了对像素的精确控制,从而使LCD实现高质量、高分辨率显示成为可能。TFTLCD是人类历史上第一种在显示质量上超过CRT的平板显示器。现在,已经开始把驱动IC集成到玻璃基板上,整个TFT的功能将更加强大,这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。
④低成本。玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题,为推广应用开拓了广阔的空间。
⑤工艺灵活。除了采用溅射、CVD(化学气相沉积)和MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺成膜以外,激光退火技术也开始应用,既可以制作非晶膜、多晶膜,也可以制造单晶膜。不仅可以制作硅膜,也可以制作其他Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜。
⑥应用领域广泛。以TFT技术为基础的液晶平板显示器是信息社会的支柱产业,其技术可应用到正在迅速成长中的薄膜晶体管有机电致发光(TFT-OLED.平板显示器中。