晶体三极管甲的=200,ICBO=10A,晶体三极管乙的=80,ICBO=0.2A,两管比较,可判定是晶体三级管()的性能好。
第1题:
A、b增大,UBE增大,ICBO增大
B、b减小,UBE减小,ICBO减小
C、b增大,UBE减小,ICBO增大
D、b减小,UBE增大,ICBO减小
第2题:
第3题:
A、ICBO,β,UBE都增大
B、ICBO,β,UBE都减小
C、ICBO,β增大,UBE减小
D、β,UBE增大,ICBO减小
第4题:
温度升高时,三极管参数正确变化的是()。
第5题:
温度减小时,使晶体三极管参数发生如下变化()。
第6题:
第7题:
第8题:
A、ICBO增大,UBE下降
B、UBE增大,ICBO减小
C、ICBO和UBE增大
D、ICBO和UBE减少
第9题:
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
第10题:
三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为(),β为电流放大倍数。