IPSP
第1题:
A、AP
B、阈电位
C、发生器电位
D、EPSP
E、IPSP
第2题:
形成快IPSP的离于基础主要是
A.Na+内流增多
B.Na+外流减少
C.Ca2+外流增多
D.C2+内流减少
E.Cl-内流增多
第3题:
第4题:
第5题:
第6题:
IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?
A.Na+
B.K+
C.C1-
D.Ca2+
第7题:
第8题:
A、信息的强弱
B、递质和受体
C、递质
D、受体
第9题:
第10题:
名词解释题IPSP
突触后神经元活动取决于()A、EPSP的总和B、IPSP的总和C、EPSP和IPSP的代数和D、以上都不是
单选题突触后神经元活动取决于()A EPSP的总和B IPSP的总和C EPSP和IPSP的代数和D 以上都不是
产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
EPSP与IPSP共同的特征为( )A.突触前膜都去极化 B.突触前膜都超极化 C.突融后膜都去极化 D.突触后膜都超极化
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
名词解释题抑制性突触后电位(IPSP)
填空题IPSP称为(),是一种()电位。
抑制性突触后电位(IPSP)