能源科学技术

简述非晶氢化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的优点及其制备工艺。

题目

简述非晶氢化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的优点及其制备工艺。

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相似问题和答案

第1题:

简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?


正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用,使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻,再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率,又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜,还能降低缺陷提高成品率。

第2题:

简述大块非晶合金的制备方法。


正确答案:预先配置好的合金在惰性气体的保护下进行熔化,然后制备非晶粉末,该过程要在高真空或者是惰性气体的保护下进行,再将获得的非晶粉末收集起来过筛,筛掉粒度较大的可能发生晶化的颗粒。过筛之后的颗粒进行真空热挤压,获得一定的致密度,然后将预挤压的试样进行包套、除气、焊合。 

第3题:

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。


正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程:
栅极→有源岛→n-区和n+区掺杂→p+区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程:
栅极→a-Si:H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

第4题:

简述溶胶——凝胶法薄膜制备的原理。


正确答案:将金属醇盐或金属无机盐溶于溶剂中形成均匀的溶液,再加入各种添加剂,催化剂、水、络合剂或整合剂等,在合适的环境温度、温度条件下,通过强烈搅拌,使之发生水解和缩聚反应,制得所需溶胶。薄膜在由溶胶转变为凝胶过程中,由于溶剂的迅速蒸发和聚合物粒子在溶剂中的溶解度不同,导致部分小粒子溶解,大粒子平均尺寸增加。同时,胶体粒子逐渐聚集长大为粒子簇,粒子簇经相互碰撞,最后相互联结成三维网络结构,从而完成由溶胶膜向凝胶膜的转化,即膜的胶凝化过程。

第5题:

简述碳化硅制品的种类,氮化硅结合碳化硅砖的工艺特点。


正确答案: 1.氧化物结合碳化硅制品
2.氮化物结合碳化硅制品
3.自结合碳化硅制品
4.渗硅碳化硅
5.半碳化硅制品;
具有高温强度高,热导率大,线膨胀系数小,抗热震性好,抗碱侵蚀性好,抗氧化性好,抗锌铝铜锌等熔融液侵蚀能力强和高温耐磨形好等。

第6题:

氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。


正确答案:增大;减小

第7题:

简述薄膜蒸发的优点。


正确答案: 薄膜蒸发在减压条件下,使受热物体拉成薄膜,有极大的汽化表面,热的传播快而均匀,不受液体静压的影响,不会产生局部过热现象。薄膜蒸发受热时间短,蒸发速度快,有效成分不易破坏。又可以连续操作,蒸发效率高。

第8题:

简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。


正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时,在源到漏之间沟道没有形成,TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大,在绝缘层与a-Si:H层的界面附近,非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累,形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。

第9题:

简述快速凝固技术、大块非晶制备技术


正确答案: 快速凝固技术:
(1)急冷凝固技术:设法减小同一时刻凝固的熔体体积并减小熔体体积与其散热表面积之比,并没法减小形体与热传导性能很好的冷却介质的界面热阻以及主要通过传导的方式散热。急冷凝固技术的核心是要提高凝固过程中熔体的冷速。
(2)大过冷凝固技术:在形体中形成尽可能接近均匀形核的凝固条件,从而获得大的凝固过冷度。通常在熔体凝固过程中促进非均匀形核的形核媒质主要来自熔体内部和容器如坩埚、铸模等壁,因此大过冷凝固技术就是主要从这二个方面设法消除形核媒质。
大块非晶制备技术:
(1)铜模吸铸法:将高纯度的组元在氩气保护下熔化,均匀混合后利用负压直接吸入循环水冷却的铜模中。铜模将合金液的热量迅速转移,使合金熔体的温度快速降低至非晶转变温度以下凝固形成非晶固体。
(2)水淬法:将合金置于石英管中,将合金熔化后连同石英管一起淬人流动水中,以实现快速冷却,得到大块非晶。
(3)感应加热铜模铸造法:将合金置于底端通孔的石英管中,利用感应线圈在合金中产生的涡流加热使合金迅速熔化。液态合金由于表面张力并不自动滴漏,需要从石英管顶部外加一个正气压将其吹入铜模。
(4)模具移动法:母合金被感应加热熔化后, 向石英管内通入一定压力的惰性气体,使熔融的合金液连续注入到以一定速度移动的水冷铜模表面的凹槽中,快速凝固形成非晶合金棒材,若水冷铜模的移动方式为旋转式,则可连续制备出一定直径(mm级) 的非晶合金线材。

第10题:

简述炼乳乳糖晶种的制备。


正确答案: 晶种粒径应在5μm以下。晶种制备的一般方法是取精制乳糖粉(多为α-乳糖),在100~105℃下烘干2~3h,然后经超微粉碎机粉碎,再烘干1h,并重新进行粉碎,通过120目筛就可以达到要求,然后装瓶、密封、储存。