考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）A、15μsB、225μsC、1.5μsD、20μs

考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

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第1题：

P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子()

此题为判断题(对，错)。

答案：对

第2题：

在P型半导体中（）为少子.

正确答案:A

第3题：

N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少子。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案：正确

第4题：

计算题：已知一个电阻是44Ω，使用时通过的电流是5A，试求电阻两端的电压？已知：R＝44Ω、I＝5A求：U

正确答案: U＝IR＝5×44＝220（V）
电阻两端的电压为220V。

第5题：

（）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。

正确答案:C

第6题：

计算灰体表面间的辐射传热时，通常需要计算某个表面的冷热量损失q，若已知黑体辐射力为Eb，有效辐射为J，投入辐射为G，正确的计算式是（　　）。

A． q=Eb－G
B． q=Eb－J
C． q=J－G
D． q=Eb－G

答案：C

解析：

第7题：

在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。

正确答案:自由电子；掺杂；自由电子；本征激发

第8题：

SPV技术就是利用光生伏特效应使太阳的辐射能通过半导体物质间接转变为电能的一种技术。()

参考答案：错误

第9题：

P（N）型半导体的多子、少子

正确答案:由于N型半导体中自由电子多于空穴，所以自由电子为N型半导体的多数载流子（多子）；空穴则是N型半导体的少数载流子（少子）。

第10题：

本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。

正确答案:三价；空穴；自由电子