存储器芯片的集成度高表示单位芯片面积制作的存储单元数多。

某存储器芯片有12根地址线，8根数据线，该芯片有()个存储单元。

A.1KB

B.2KB

C.3KB

D.4KB

设存储器的地址线有16条，基本存储单元为字节，若采用2K×4位芯片，按全译码方法组成按字节编址的存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储2S芯片的数量是【 】片。

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：

A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B．SRAM的集成度比DRAM高

C．DRAM的存取速度比SRAM快

D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

内存地址从4000H到43FFH，共有(1)个内存单元。若该内存每个存储单元可存储16位二进制数，并用4片存储器芯片构成，则芯片的容量是(2)。

A．256

B．512

C．1024

D．2048

下面说法中正确的是()。

A、部分译码方式时，存储器芯片中的一个存储单元有唯一地址。

B、线选方式时存储器芯片中的一个存储单元有多个地址。地址不可能不连续。需要译码。

C、全译码方式是指存储器芯片中的每一个存储单元对应一个唯一的地址。

D、DMA方式与中断方式传输数据的方法是一样的。

μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。

A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚

B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新

C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的

D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ