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简述霍尔效应及霍尔电动势影响因素。

题目

简述霍尔效应及霍尔电动势影响因素。

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相似问题和答案

第1题:

霍尔效应的原因是()

  • A、电流在磁场中受到洛仑兹力
  • B、霍尔元件在磁场中感生出电动势
  • C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力
  • D、霍尔元件在磁场中受到重力

正确答案:A

第2题:

上海桑塔纳轿车使用的是()无触点电子点火系统。

  • A、霍尔效应
  • B、霍尔电压
  • C、霍尔电流
  • D、霍尔系数

正确答案:A

第3题:

试分析霍尔效应产生的原因。霍尔电动势的大小、方向与哪些因素有关?


参考答案:金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流通过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。如将N型半导体薄片,垂直置于磁场中。在薄片左右两端通以电流,这时半导体中的载流子(电子)将沿着与电流相反的方向运动。由于外磁场的作用,电子将受到磁场力(洛仑兹力)的作用而发生偏转,结果在半导体的后端面上积累了电子而带负电,前端面则因缺少电子而带正电,从而在前后端面间形成电场。该电场产生的电场力也将作用于半导体中的载流子,电场力方向和磁场力方向正好相反,当与大小相等时,电子积累达到动态平衡。这时,在半导体前后两端面之间建立的电动势就称为霍尔电动势。
霍尔电动势的大小正比于激励电流 与磁感应强度 ,且当 或 的方向改变时,霍尔电动势的方向也随着改变,但当 和 的方向同时改变时霍尔电动势极性不变。

第4题:

简述霍尔效应、构成以及霍尔传感器可能的应用场合。


正确答案: 一块长为l、宽为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中,当有电流I流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。这种现象称为霍尔效应。
霍尔元件多用N型半导体材料构成,且比较薄。
霍尔式传感器转换效率较低,受温度影响大,但其结构简单、体积小、坚固、频率响应宽、动态范围(输出电势变化)大、无触点,使用寿命长、可靠性高、易微型化和集成电路化,因此在测量技术、自动控制、电磁测量、计算装置以及现代军事技术等领域中得到广泛应用。

第5题:

霍尔元件不等位电动势产生的原因及补偿方法


正确答案:原因有:①霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上②半导体材料不均匀或几何尺寸不均匀;③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等补偿方法:把霍尔元件等效为一个电桥,用分析电桥平衡来补偿不等位电势

第6题:

简述什么是霍尔效应。


正确答案:当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象就是霍尔效应。

第7题:

霍尔效应或霍尔电压


正确答案:将霍尔元件(半导体基片)置于磁场中,并通入电流,电流的方向与磁场的方向互相垂直,在垂直与电流和磁场的霍尔元件的横向两侧会产生一个与电流和磁感应强度成正比的电压。这种现象称之为霍尔效应,这个电压称之为霍尔电压。

第8题:

霍尔式晶体管点火系,其点火信号发生器是采用()的原理制成的。

  • A、霍尔电器
  • B、霍尔元件
  • C、霍尔电压
  • D、霍尔效应

正确答案:D

第9题:

何谓霍尔效应?利用霍尔效应可以进行哪些参数的测量?


正确答案:(1)霍尔效应指由导电材料(金属导体或半导体)中电流与外磁场相互作用而产生电势的物理现象。
(2)利用霍尔效应可以测量大电流、微气隙磁场、微位移、转速、加速度、震动、压力、流量、和液位等参数。

第10题:

霍尔电动势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数成()而与霍尔片厚度成(),为了提高灵敏度霍尔元件常做成()形状。


正确答案:正比;反比;薄片