医用电子学
关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
题目
关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）
- A、自由电子和空穴总是成对出现
- B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动
- C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
- D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
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相似问题和答案
第1题：
本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh（）
答案：对
解析：
第2题：
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
正确答案:正确
第3题：
下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子
正确答案:B
第4题：
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。
- A、空穴；空穴
- B、空穴；自由电子
- C、自由电子；空穴
- D、自由电子；自由电子
正确答案:B
第5题：
金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。
- A、空穴载流子
- B、正负离子
- C、自由电子
- D、载流子
正确答案:C
第6题：
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
- A、自由电子，空穴；扩散，飘移
- B、空穴，自由电子；漂移，扩散
- C、空穴，自由电子；扩散，漂移
- D、自由电子，空穴；漂移，扩散
- E、自由电子，空穴；扩散，扩散
正确答案:C
第7题：
半导体中空穴电流是由（）
- A、价电子填补空穴形成的
- B、自由电子填补空穴形成的
- C、空穴填补自由电子形成的
- D、自由电子定向运动形成的
正确答案:A
第8题：
在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。()
此题为判断题(对，错)。
参考答案：对
第9题：
半导体中的载流子（）。
- A、只有电子
- B、只有空穴
- C、只有价电子
- D、自由电子和空穴
正确答案:D
第10题：
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。
- A、自由电子数目增加，空穴数目不变
- B、空穴数目增多，自由电子数目不变
- C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
- D、自由电子和空穴数目不变
正确答案:C