工学

多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀

题目
多选题
以下属于光刻工艺的为:()。
A

光刻胶涂覆

B

曝光

C

显影

D

腐蚀

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第1题:

什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?


正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是:刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直;图片内无小岛、不染色、腐蚀干净;图形套合十分准确;介质膜或金属膜上无针孔;硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第2题:

光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()


正确答案:错误

第3题:

LIGA (光刻)工艺制造微电子芯片属于精密特种加工。()

此题为判断题(对,错)。


答案:是

第4题:

光刻加工的工艺过程为()

  • A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
  • B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
  • C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

正确答案:B

第5题:

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


正确答案:在4次光刻中,第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻,为4次光刻的第二次光刻,光刻次数减少,但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为:连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第6题:

光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。


正确答案:前烘;显影;去胶

第7题:

简述光刻工艺流程。


正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第8题:

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?


正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的,它是晶圆加工过程的中心,为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能,成品率,可靠性。

第9题:

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


正确答案:1)刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔,需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å,能形成良好的接触环,并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候,ITO会把Al还原,所以刻蚀时间不能太长。
2)刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时,需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx,钝化层的P-SiNx约2500Å,绝缘层SiNx约3500Å共6500Å,为保证刻蚀干净,刻蚀时间不能太短。因此,刻蚀条件的控制非常关键。

第10题:

采用熔融挤压成形的典型工艺为()。

  • A、立体光刻
  • B、分层实体制造
  • C、熔融沉积成型
  • D、选择性激光烧结

正确答案:B