工学
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相似问题和答案
第1题：
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
正确答案: 如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。①分凝系数m＜l，且在SiO2中是慢扩散的杂质，也就是说在分凝过程中杂质通过SiO2表面损失的很少，硼就是属于这类。再分布之后靠近界面处的SiO2中的杂质浓度比硅中高，硅表面附近的浓度下降。②m＜1，且在SiO2中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SiO2表面跑到气体中去，杂质损失非常厉害，使SiO2中的杂质浓度比较低，但又要保证界面两边的杂质浓度比小于1，使硅表面的杂质浓度几乎降到零，在H2气氛中的硼就属于这种情况。③m＞1，且在SiO2中慢扩散的杂质。再分布之后硅表面附近的杂质浓度升高，磷就属于这种杂质。④m＞l，且在SiO2中快扩散的杂质。在这种情况下，虽然分凝系数大于1，但因大量杂质通过SiO2表面进入气体中而损失，硅中杂质只能不断地进入SiO2中，才能保持界面两边杂质浓度比等于分凝系数，最终使硅表面附近的杂质浓度比体内还要低，镓就是属于这种类型的杂质。对于m＝1，而且也没有杂质从SiO2表面逸散的情况，热氧化过程也同样使硅表面杂质浓度降低。这是因为一个体积的硅经过热氧化之后转变为两个多体积的SiO2，由此，要使界面两边具有相等的杂质浓度（m＝1），那么杂质必定要从高浓度硅中向低浓度SiO2中扩散，即硅中要消耗一定数量的杂质，以补偿增加的SiO2体积所需要的杂质。
第2题：
描述热氧化过程。
正确答案:①干氧：Si＋O2 SiO2
氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶 的粘附性好
②水汽氧化：Si+H2O SiO2（固）+H2（气）
氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差
③湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应
氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间
第3题：
润滑油的安全性分为热氧化安定性和抗氧化安定性。
A对
B错
对
略
第4题：
写出电炉氧化期去磷的化学反应式，简述影响脱磷因素及脱磷条件。
正确答案: 2[P]+5（FeO）→（P2O5）+5[Fe]（1）
（P2O5）+3（FeO）→（3FeO·P2O5）（2）
（3FeO·P2O5）+4（CaO）→（4CaO·P2O5）+3（FeO）（3）
总反应式：（1）+（2）+（3）得
2[P]+5（FeO）+4（CaO）→（4CaO·P2O5）+5Fe
影响脱磷因素有：碱度、温度、氧化铁、钢液成份、渣量和炉渣粘度等。
脱磷条件：高碱度高氧化性流动性好的炉渣，适当的温度，大渣量。
第5题：
考试威朗车的氧传感器的类型为：（）
- A、非加热氧化锆型
- B、加热氧化锆型
- C、宽带氧化锆型
- D、宽带氧化钛型
正确答案:B
第6题：
热氧化安定性
正确答案:是指有机热载体在受热状态下，与空气接触时抗氧化反应的能力。
第7题：
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
- A、温度
- B、硅-二氧化硅界面处的化学反应
- C、氧的扩散速率
- D、压力
正确答案:B
第8题：
氧化沾污粒子是由于全部过热氧化而成的黄褐色的聚乙烯树脂粒子。
正确答案:错误
第9题：
什么是强制氧化工艺和自然氧化工艺？哪种工艺较好？
正确答案: 湿法石灰石—石膏脱硫工艺有强制氧化和自然氧化之分。被浆液吸收的二氧化硫有少部分在吸收区内被烟气中的氧气氧化，这种氧化称为自然氧化。强制氧化是向吸收塔的氧化区内喷入空气，促使可溶性亚硫酸盐氧化成硫酸盐。强制氧化工艺在脱硫效率和系统运行的可靠性等方面均比自然氧化工艺更优越。
第10题：
硅的氧化是炼钢的重要反应之一，硅氧化为放热反应，因此，（）有利于硅的氧化。
正确答案:低温