工学
填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
题目
填空题
当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
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相似问题和答案
第1题：
功率场效应晶体管一般为()。
A.P沟道耗尽型
B.P沟道增强型
C.N沟道耗尽型
D.N沟道增强型
正确答案：D
第2题：
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
参考答案：AB
第3题：
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
参考答案：A
第4题：
当λ≥5时，泊松分布与正态分布相近似。
正确答案:正确
第5题：
当总体率（）时，当（）时，二项分布可用泊松分布来近似。
正确答案:λ很小；n很大
第6题：
功率场效应晶体管一般为()。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
正确答案:B
第7题：
YB25/YB45包装机当运行中的右内衬纸卷盘快耗尽时则会显示“内衬纸右卷耗尽”故障。
正确答案:错误
第8题：
关于泊松分布，错误的有
A、二项分布中，n很大，π根小，则可用泊松分布近似二项分布
B、泊松分布由均数唯一确定
C、泊松分布的均数越大，越接近正态分布
D、泊松分布的均数与标准差相等
E、如果x1服从均数为μ1的泊松分布，x2服从均数为μ2的泊松分布，则x1＋x2服从均数为μ1＋μ2的泊松分布
参考答案：C
第9题：
为解决IPv4地址耗尽的问题，针对IPv4可以采用（）和采用（）来推迟IPv4地址耗尽的日期。
正确答案:无分类编址CIDR；网络地址转换NAT方法
第10题：
当n充分大时，泊松分布近似于正态分布
正确答案:正确