工学
填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
题目
填空题
PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
参考答案和解析
正确答案：
N阱
解析：
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相似问题和答案
第1题：
MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()
此题为判断题(对，错)。
参考答案：正确
第2题：
功率场效应晶体管一般为()。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
正确答案:B
第3题：
按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )
A、耗尽型
B、增强型
C、P沟道
D、N沟道
参考答案：CD
第4题：
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
正确答案:场效应管（MOS）；N；P
第5题：
单极型集成电路不包含（）.
- A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
- B、P沟道MOS管
- C、N沟道MOS管
- D、互补型MOS（即CMOS）
正确答案:A
第6题：
功率场效应晶体管一般为()。
A.P沟道耗尽型
B.P沟道增强型
C.N沟道耗尽型
D.N沟道增强型
正确答案：D
第7题：
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型
第8题：
()是电压控制型电力电子器件。
A.P-MOSFET、GTO
B.TRIAC、GTR
C.P-MOSFET、IGBT
D.IGBT、SITH
正确答案：CD
第9题：
MOSFET晶体管属于（）器件。
- A、电流型控制
- B、电压型控制
- C、功率型控制
- D、P0004
正确答案:B
第10题：
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
正确答案:结型；增强型