工学

判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。A 对B 错

题目
判断题
PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。
A

B

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第1题:

PN结正向偏转时电阻小,反向偏置时电阻大。 ()

此题为判断题(对,错)。


参考答案错误

第2题:

PN结的单向导电性指的是 PN结()偏置时导通,()偏置时截止的特性 。


参考答案:正向、反向

第3题:

就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。

A、多

B、少

C、大

D、小


参考答案:C,D

第4题:

半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。

  • A、PN结的单向导电性
  • B、PN结的反向击穿特性
  • C、PN结的正向导通特性
  • D、PN结的反向截止特性

正确答案:B

第5题:

硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。

  • A、PN结的反向击穿特性
  • B、PN结的单向导电特性
  • C、PN结的正向导通特性
  • D、PN结的反向截止特性

正确答案:B

第6题:

PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。

A、正向

B、反向

C、双向

D、逆向


参考答案:A

第7题:

稳压管的稳压性能是利用( )实现的。

A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性

答案:B
解析:

第8题:

晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。

A、均处于正向偏置

B、均处于反向偏置

C、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置

D、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置


参考答案:C

第9题:

当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。


正确答案:错误

第10题:

PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。


正确答案:导通;截止