光伏效应;
光电导效应;
光电发射效应;
光热效应。
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
第3题:
第4题:
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
第5题:
半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。
第6题:
当多数载流子是自由电子时,这种半导体称为N型半导体。
第7题:
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
第8题:
A、电离效应
B、基体效应
C、化学干扰
D、光谱干扰
第9题:
指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。
第10题:
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()