工学

问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

题目
问答题
试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。
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第1题:

什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。


参考答案:当GTR的集电极电压升高至前面所述的击穿电压时,集电极电流迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,被称为一次击穿。出现一次击穿后,只要Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流,Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,同时伴随着电压的陡然下降,这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变,因而对GTR危害极大。

第2题:

当GTR发生的二次击穿,()


正确答案:GTR将永久损坏无法工作

第3题:

GTR存在二次击穿现象。()


正确答案:√

第4题:

UPS常用的电力电子器件有:()

  • A、GTR;
  • B、MOSFET;
  • C、IGBT;
  • D、SCR

正确答案:B,C,D

第5题:

电力场效应管MOSFET()现象。

  • A、有二次击穿
  • B、无二次击穿
  • C、防止二次击穿
  • D、无静电击穿

正确答案:B

第6题:

试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。


参考答案:GTR的容量中等,工作频率一般在10kHz以下,电流控制型器件,所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小,工作频率最高,可达100kHz以上,电压控制型器件,所需驱动功率最小,但其通态压降大,开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级,但为电压控制型器件,驱动功率小,工作频率高,有取代GTR之势。

第7题:

使用功率MOSFET时要注意()。

  • A、防止静电击穿
  • B、防止二次击穿
  • C、MOSFET不能承受反压
  • D、栅源过电压保护

正确答案:A,C,D

第8题:

P-MOSFET存在二次击穿现象。()


正确答案:×

第9题:

GTR的主要缺点之一是()

  • A、开关时间长
  • B、高频特性差
  • C、通态压降大
  • D、有二次击穿现象

正确答案:D

第10题:

功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。

  • A、一次击穿
  • B、二次击穿
  • C、临界饱和
  • D、反向截止

正确答案:B