工学
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
题目
问答题
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
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相似问题和答案
第1题：
什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。
参考答案：当GTR的集电极电压升高至前面所述的击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。出现一次击穿后，只要Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。
第2题：
当GTR发生的二次击穿，（）
正确答案:GTR将永久损坏无法工作
第3题：
GTR存在二次击穿现象。()
正确答案：√
第4题：
UPS常用的电力电子器件有：（）
- A、GTR；
- B、MOSFET；
- C、IGBT；
- D、SCR
正确答案:B,C,D
第5题：
电力场效应管MOSFET（）现象。
- A、有二次击穿
- B、无二次击穿
- C、防止二次击穿
- D、无静电击穿
正确答案:B
第6题：
试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
参考答案：GTR的容量中等，工作频率一般在10kHz以下，电流控制型器件，所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小，工作频率最高，可达100kHz以上，电压控制型器件，所需驱动功率最小，但其通态压降大，开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级，但为电压控制型器件，驱动功率小，工作频率高，有取代GTR之势。
第7题：
使用功率MOSFET时要注意（）。
- A、防止静电击穿
- B、防止二次击穿
- C、MOSFET不能承受反压
- D、栅源过电压保护
正确答案:A,C,D
第8题：
P-MOSFET存在二次击穿现象。()
正确答案：×
第9题：
GTR的主要缺点之一是（）
- A、开关时间长
- B、高频特性差
- C、通态压降大
- D、有二次击穿现象
正确答案:D
第10题：
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。
- A、一次击穿
- B、二次击穿
- C、临界饱和
- D、反向截止
正确答案:B