工学
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相似问题和答案
第1题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
第2题：
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
- A、CF4
- B、BCl3
- C、Cl2
- D、F2
- E、CHF3
正确答案:B,C
第3题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
- A、等离子体刻蚀
- B、反应离子刻蚀
- C、湿法刻蚀
- D、溅射刻蚀
正确答案:D
第4题：
（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
- A、刻蚀速率
- B、刻蚀深度
- C、移除速率
- D、刻蚀时间
正确答案:A
第5题：
光刻和刻蚀的目的是什么？
正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
第6题：
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
- A、铜
- B、铝
- C、金
- D、二氧化硅
正确答案:D
第7题：
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
- A、气体
- B、等离子体
- C、固体
- D、液体
正确答案:B
第8题：
反应离子腐蚀是（）。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案:C
第9题：
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
- A、多晶硅
- B、单晶硅
- C、铝硅铜合金
- D、铜
正确答案:C
第10题：
什么叫离子刻蚀？它的主要作用是什么？
正确答案:在10-3Pa的氩气中将生成的Ar+加速至500~1000eV，轰击样品表面，这个过程称为〝离子刻蚀〞。离子刻蚀可清洁样品表面和将表面层剥离掉，可进行纵向分析。