工学
问答题MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
题目
问答题
MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
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相似问题和答案
第1题：
对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
正确答案: （1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。
（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。
第2题：
开关MOS管选型需要注意哪些参数？
正确答案: 最小开启电压Vgs（th）、最大栅源电压Vgs（max）、最大漏源电压Vds、最大漏源电流Id、导通电阻Rds（on）、耗散功率、封装。
第3题：
加氢工艺的主要危险特点有哪些?工艺过程中重点控制参数是什么?
正确答案：
一、主要危险特点：1)反应物料具有燃爆危险性，氢气的保证极限为4%~75%，具有高燃爆危险特性2)加氢未强烈的放热反应，氢气在高温高压下与钢材接触，钢材内的碳分子易与氢气发生反应生成碳氢化合物，使钢制设备强度降低，发生氢脆;3)催化剂再生和活化过程中易引发爆炸;4)加氢反应尾气中有未完全反应的氢气和其他杂质在排放时易引发着火或爆炸;二、工艺参数：1)加氢反应釜回催化剂床层温度、压力;2)加氢反应釜内搅拌速率;3)氢气流量、反应物质的配料比;4)系统含氧量、冷却水流量;5)氢气压缩机运行参数、加氢反应尾气组成。
一、主要危险特点：1)反应物料具有燃爆危险性，氢气的保证极限为4%~75%，具有高燃爆危险特性2)加氢未强烈的放热反应，氢气在高温高压下与钢材接触，钢材内的碳分子易与氢气发生反应生成碳氢化合物，使钢制设备强度降低，发生氢脆;3)催化剂再生和活化过程中易引发爆炸;4)加氢反应尾气中有未完全反应的氢气和其他杂质在排放时易引发着火或爆炸;二、工艺参数：1)加氢反应釜回催化剂床层温度、压力;2)加氢反应釜内搅拌速率;3)氢气流量、反应物质的配料比;4)系统含氧量、冷却水流量;5)氢气压缩机运行参数、加氢反应尾气组成。
第4题：
静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点？
正确答案:在MOS半导体存储器中，根据存储信息机构的原理不同，又分为静态MOS存储器（SRAM）和动态MOS存储器（DRAM），前者利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电，信息不会丢失，后者利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需不断给电容充电才能使信息保持。
第5题：
MOS电路的优点和缺点各是什么？
正确答案:优点：制造工艺简单、功耗小、高输入阻抗、高集成度及没有电荷存储效应等。
缺点：工作速度较低。
第6题：
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
正确答案:正确
第7题：
对MOS值影响最大的GSM参数是（）
正确答案:话音编码方式
第8题：
裂解(裂化)工艺的主要危险特点有哪些?工艺过程中重点控制参数是什么?
正确答案：
一、主要危险特点：1)在高温(高压)下进行反应，装置内的物料温度一般超过其自燃点，若漏出回立即引起火灾;2)炉管内壁结焦会使流体阻力增加，影响传热，当焦层达到一定厚度时，因炉管壁温度过高，而不能继续运行下去，必须进行清焦，否则会烧穿炉管，裂解气外泄，引起裂解炉爆炸;3)如果由于断电或引风机机械故障而使引风机突然停转，严重时会引起炉膛爆炸;4)如果燃料系统大幅度波动，燃料气压力过低，则可能造成裂解炉烧嘴回火，使烧嘴烧坏，甚至会引起爆炸;5)有些裂解工艺产生的单体会自聚或爆炸，需要向生产的单体中加阻聚剂或稀释剂。二、工艺参数：1)裂解炉进料流量;2)裂解炉温度;3)引风机电流;4)燃料油进料流量;5)稀释蒸汽比及压力;6)燃料油压力;7)滑阀差压超驰控制、主风流量控制、外取热器控制、机组控制、锅炉控制。
一、主要危险特点：1)在高温(高压)下进行反应，装置内的物料温度一般超过其自燃点，若漏出回立即引起火灾;2)炉管内壁结焦会使流体阻力增加，影响传热，当焦层达到一定厚度时，因炉管壁温度过高，而不能继续运行下去，必须进行清焦，否则会烧穿炉管，裂解气外泄，引起裂解炉爆炸;3)如果由于断电或引风机机械故障而使引风机突然停转，严重时会引起炉膛爆炸;4)如果燃料系统大幅度波动，燃料气压力过低，则可能造成裂解炉烧嘴回火，使烧嘴烧坏，甚至会引起爆炸;5)有些裂解工艺产生的单体会自聚或爆炸，需要向生产的单体中加阻聚剂或稀释剂。二、工艺参数：1)裂解炉进料流量;2)裂解炉温度;3)引风机电流;4)燃料油进料流量;5)稀释蒸汽比及压力;6)燃料油压力;7)滑阀差压超驰控制、主风流量控制、外取热器控制、机组控制、锅炉控制。
第9题：
静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
正确答案: 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
动态存储器的刷新方式通常有：
集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。
第10题：
注射工艺中重要的参数是什么？
正确答案: 在是注射工艺中最重要的参数是温度，如料温、喷嘴温度、模具温度等；压力，如塑化压力、注射压力、模腔压力等；注射成型周期，如注射时间、保压时间、冷却时间等和注射速度。