工学
单选题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）A 集成电路制造（晶圆加工）B 集成电路封装C 集成电路测试D 集成电路设计
题目
单选题
在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
A
集成电路制造（晶圆加工）
B
集成电路封装
C
集成电路测试
D
集成电路设计
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相似问题和答案
第1题：
马云的无人超市体现了（）
- A、制造业加工工艺的退化
- B、制造业加工工艺的优化
- C、服务业加工工艺的退化
- D、服务业加工工艺的优化
正确答案:D
第2题：
简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
正确答案: 1）杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态，意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶度限制。例如，对砷进行数毫秒的退火，它的激活浓度可达到3×1021左右，大约是其固溶度的10倍。因为，在短时间的退火过程中，砷原子没有足够的时间来形成聚团并凝聚成无活性的缺陷。
2）介质的快速热加工快速热氧化（RTO）可以在合适的高温下通过精确控制的气氛来实现短时间生长薄氧层。（干氧方法）RTO生长的氧化层具有很好的击穿特性，电性能上坚固耐用。由于不均匀温度分布产生的晶圆片内的热塑应力影响了RTO的均匀性。若适当冷却反应腔壁，可以用作冷壁工艺，防止腔壁污染后续工艺。3）硅化物和接触的形成快速热处理也经常被用于形成金属硅化物接触，其可以仔细控制硅化反应的温度和环境气氛，以尽量减少杂污染，并促使硅化物的化学配比和物相达到最理想的状态。形成阻挡层金属也是RTP在Si技术中的一个应用，这些导电的阻挡层金属可以阻止硅衬底和用于器件互联的Al基合金之间的互扩散。另外RTP还可以在GaAs工艺中用于接触的形成，淀积一层金锗混合物并进行热退火，可以在N型GaAs材料上形成低阻的欧姆接触。
第3题：
下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。
A、膜集成电路
B、半导体集成电路
C、混合集成电路
D、模拟集成电路
参考答案：D
第4题：
集成电路按照制造工艺可分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、薄膜集成电路
- C、数字集成电路
- D、厚膜集成电路
正确答案:A,B,D
第5题：
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。
- A、数字
- B、厚膜
- C、小规模
- D、专用
正确答案:B
第6题：
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
- A、双极性集成电路
- B、TTL集成电路
- C、CMOS集成电路
- D、单极性集成电路
正确答案:A,D
第7题：
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
正确答案:正确
第8题：
在制造45钢轴类零件的工艺路线中，调质处理应安排在（）。
- A、机加工前
- B、粗精加工之间
- C、精加工后
- D、难以确定
正确答案:B
第9题：
按制造工艺集成电路分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、TTL集成电路
- C、厚膜集成电路
- D、薄膜集成电路
- E、CMOS集成电路
正确答案:A,C,D
第10题：
工艺分析就是从（）的角度对零件的（）等进行分析研究
- A、结构工艺性、技术要求、加工制造、材料的加工性能
- B、技术要求、结构工艺性、加工制造、材料的加工性能
- C、加工制造、技术要求、结构工艺性、材料的的加工性能
- D、材料的加工性能、结构工艺性、加工制造、技术要求
正确答案:C