工学
问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
题目
问答题
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
参考答案和解析
正确答案：
采用LPCVD工具；
1.通过掺杂可得到特定的电阻；
2.和二氧化硅优良的界面特性；
3.和后续高温工艺的兼容性；
4.比金属电极更高的可靠性；
5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；
6.实现栅的自对准工艺。
1.通过掺杂可得到特定的电阻；
2.和二氧化硅优良的界面特性；
3.和后续高温工艺的兼容性；
4.比金属电极更高的可靠性；
5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；
6.实现栅的自对准工艺。
解析：
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相似问题和答案
第1题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C
第2题：
下列材料中电阻率最低的是（）。
- A、铝
- B、铜
- C、多晶硅
- D、金
正确答案:D
第3题：
低温多晶硅TFT技术的最大优势是什么?
答案：超薄、质量轻、耗电低、系统集成。
第4题：
在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
正确答案:聚光镜聚光
第5题：
目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（）。
- A、非晶硅
- B、单晶硅
- C、多晶硅
- D、硫化镉
正确答案:B
第6题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
- A、二氧化硅
- B、氮化硅
- C、单晶硅
- D、多晶硅
正确答案:A
第7题：
青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）
- A、一
- B、二
- C、三
- D、四
正确答案:A
第8题：
简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n-区和n+区掺杂；
4）第四次光刻p+区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH3）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为1017~1018cm-3，为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。
第9题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
第10题：
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
正确答案: 提纯材料：
1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅）