工学
问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
题目
问答题
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
参考答案和解析
正确答案：
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
解析：
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相似问题和答案
第1题：
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。
A、0
B、1
C、5
D、10
参考答案：D
第2题：
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型
第3题：
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流
B、栅源电压控制漏极电压
C、栅极电流控制漏极电流
D、栅极电流控制漏极电压
参考答案：A
第4题：
互感器的合成误差除与互感器的比差、角差有关外，还与（）有关。
- A、工作电压
- B、负载电流
- C、负载功率因数
正确答案:C
第5题：
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。
- A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
- B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
- C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
- D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
正确答案:B
第6题：
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
参考答案：A
第7题：
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流
B、栅源电压
C、源极电压
D、源极电流
参考答案：B
第8题：
场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。
A、栅极和漏极
B、栅极和源极
C、漏极和源极
D、基极和发射极
参考答案：B
第9题：
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。
- A、二极管
- B、负载电容
- C、负载电感
- D、有源负载
正确答案:D
第10题：
MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
正确答案:错误