工学

单选题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()A 溅射物理气相沉积B 蒸发物理气相沉积C 等离子增强化学气相沉积D 低压化学气相沉积

题目
单选题
集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()
A

溅射物理气相沉积

B

蒸发物理气相沉积

C

等离子增强化学气相沉积

D

低压化学气相沉积

如果没有搜索结果,请直接 联系老师 获取答案。
如果没有搜索结果,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

电镀是在直流电场作用下,利用( )原理使金属或合金沉积在零件表面上,形成均匀、致密、结合力强的金属( )的过程。

A.电离

B.电解

C.镀层

D.薄膜


【答案】BC

第2题:

制粉系统的防爆门通常是用金属薄膜按一定要求制成,其承压强度很小。


正确答案:正确

第3题:

获得性薄膜是( )

A、成釉细胞在釉质表面分泌的薄膜

B、结合上皮在釉质表面分泌的薄膜

C、唾液蛋白在牙面的沉积物

D、黏附于牙面的软性沉积物

E、附着在牙面上硬性沉积物


参考答案:C

第4题:

简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?


正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用,使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻,再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率,又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜,还能降低缺陷提高成品率。

第5题:

下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗()。

  • A、薄膜沉积
  • B、薄膜成长
  • C、蒸发
  • D、溅射

正确答案:B

第6题:

在工业生产中,CPU主要采用( )来制造。

A.电子管

B.大规模集成电路

C.超大规模集成电路

D.数字芯片


正确答案:C


第7题:

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?


正确答案:①器件保护(避免划伤和污染),因sio2致密;
②表面钝化(饱和悬挂键,降低界面态;需一定厚度,降低漏电流等);
③用作绝缘介质和隔离(LOCOS,STI)如:隔离(如场氧,需要一定的厚度);
④绝缘栅(膜厚均匀,无电荷和杂质,需干氧氧化)、多层布线绝缘层、电容介质等;
⑤选择性扩散掺杂的掩膜。

第8题:

在工业生产中,CPU主要采用()来制造。A.电子管B.大规模集成电路C.超大规模集成电路D.数字芯片

在工业生产中,CPU主要采用()来制造。

A.电子管

B.大规模集成电路

C.超大规模集成电路

D.数字芯片


正确答案:C

第9题:

简述PECVD薄膜沉积的原理。


正确答案:薄膜的沉积原理包括三个基本的过程:
1)等离子体反应,是指等离子体通过与具有能量的电子、离子或者基团等粒子碰撞,使通入到反应室中的气体分子分解的过程。其中等离子体包括自由基、原子和分子等中性粒子,以及离子和电子等非中性粒子。
2)输送粒子到基板表面,等离子体产生的粒子以扩散方式或离子加速的形式输运到基板表面。中性粒子受浓度梯度的驱动以扩散方式输运到基板表面,阳离子受等离子和基板间的电位差驱动而离子加速运动到基板表面。
3)在表面发生反应,当粒子达到基板表面时,通过一系列吸附、迁移、反应,以及中间产物的解吸附过程形成要沉积的薄膜。衬底温度对每一步都是致关重要的。

第10题:

球团矿生产中通常采用何种配料形式?


正确答案: 球团矿生产中配料形式通常为集中配料。集中配料是把各种原料全部集中到配料室,分别贮存在各种配料槽内,然后根据配料比进行配料。配料的方法为容量法和质量法,常用采用质量配比法,也有采用X射线分析仪对混合料作快速分析,按原料化学成分配料的方法。铁精矿和熔剂大多采用圆盘给料机给矿和控制料量,并经过皮带秤或电子秤称量配料。为了提高生球强度往往在混合料中加入少量黏结剂,黏结剂的配入由称量铁精矿的皮带发出信号来控制。