工学
填空题发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
题目
填空题
发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
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相似问题和答案
第1题：
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
正确答案:对
第2题：
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。
A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏
D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
参考答案：A
第3题：
三极管哪个区的掺杂浓度最高()
A、基区
B、发射区
C、集电区
D、不确定
参考答案：B
第4题：
在高掺杂效应中，造成禁带收缩的主要原因是什么？
正确答案: 1﹑硅的能带边缘出现了一个能带尾态，于是禁带缩小到两个尾态边缘间的宽度。
2﹑随着杂质浓度的增加，杂质能级扩散为杂质能带，并且有可能和硅的能带相接，而使硅的能带延伸到杂质能带的边缘，禁带也就变小了。
3﹑高浓度的杂质使晶格发生宏观应变，从而造成禁带随空间变化而使禁带缩小。
第5题：
关于三极管,不正确的描述是()
A.基区薄且低掺杂
B.发射区高掺杂
C.发射结面积大
D.集电结面积大
答案：B
第6题：
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
正确答案:对
第7题：
晶体管能够放大的内部条件是()。
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
参考答案：D
第8题：
关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
正确答案:C
第9题：
PNP三极管工作特点是（）.
- A、发射区发射电子，集电区收集电子
- B、发射区发射空穴，集电区收集电子
- C、发射区发射电子，集电区收集空穴
- D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
正确答案:D
第10题：
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。
- A、基区
- B、集电区
- C、发射区
- D、饱和区
正确答案:C