工学
问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
题目
问答题
简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
参考答案和解析
正确答案：
①氧化温度；
②氧化时间；
③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快
④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快
⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快
⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快
②氧化时间；
③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快
④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快
⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快
⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快
解析：
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相似问题和答案
第1题：
硅外延生长工艺包括（）。
- A、衬底制备
- B、原位HCl腐蚀
- C、生长温度，生长压力，生长速度
- D、尾气的处理
正确答案:A,B,C,D
第2题：
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
- A、温度
- B、硅-二氧化硅界面处的化学反应
- C、氧的扩散速率
- D、压力
正确答案:B
第3题：
水样中的全硅包括活性硅和( )。
A.微量硅
B.硅元素
C.二氧化硅
D.非活性硅
正确答案：D
第4题：
简述纯硅多孔玻璃的制备工艺过程。
正确答案:用75%二氧化硅、20%三氧化二硼和5%氧化钠熔融形成玻璃，然后在773K~873K热处理，分成两相一相主要是为纯二氧化硅，而另一相富含氧化钠和三氧化二硼，这种玻璃经酸处理除去氧化钠和三氧化二硼后，可制得包含40~150埃气孔的纯二氧化硅多孔玻璃
第5题：
按国家职业卫生标准《工作场所有害因素职业接触限值》，硅尘是指怎样的粉尘？（）
- A、含有硅元素的粉尘
- B、游离二氧化硅的粉尘
- C、游离二氧化硅含量不少于10%的粉尘
正确答案:C
第6题：
二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
- A、降低
- B、增加
- C、不变
- D、先降低后增加
正确答案:A
第7题：
简述硅线石质制品生产工艺要点？
正确答案: 制砖工艺与高铝砖的基本相同
原料为精料
硅线石和红柱石精矿料可直接制砖，蓝晶石不宜直接用来制砖。但通过对其粒度的调整，也可直接制砖。
天然硅线石族精料通常以颗粒状或粉状料引入。
硅线石一般要求小于0.5mm，红柱石可适当放宽至小于2mm，蓝晶石一般为0.147～0.074mm。
一般制品的烧成温度为1350～1500℃（莫来石化转变温度＋体积效应）。
第8题：
简述影响幼儿生长发育的因素。
影响幼儿生长发育的因素：
（1）遗传因素；
（2）营养的影响；
（3）锻炼的影响；
（4）生活制度的影响；
（5）疾病的影响；
（6）环境。
略
第9题：
简述影响生长发育的因素。
正确答案: 儿童的生长发育是在复杂的环境因素和先天素质相互作用中实现的，因此影响生长发育的因素可归纳为两大方面，即遗传因素和环境因素。遗传因素为：细胞染色体所载的基因是决定遗传的物质基础。环境因素为：①营养因素；②疾病因素；③母亲因素；④社会因素。
第10题：
简述影响甜菜生长的因素。
正确答案:（1）品种；
（2）环境因素（土壤温度光照水分）；
（3）栽培技术（轮作、施NP肥、收获）。