工学
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案
第1题：
例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
正确答案:第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。
第二步：旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层
第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂
第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上
第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培
第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形
第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性
第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求
第2题：
生产注射用水的一般工艺流程是什么？每一步骤的目的是什么？
正确答案: 原水制备成纯化水后，就要制备注射用水了。三种方法：蒸馏法制备注射用水、反渗透法制备注射用水和综合法制备注射用水
①蒸馏法制备注射用水：最经典、最可靠、应用最广、中国药典法定方法蒸馏法对水源的要求：以去离子水为水源。一般过程：将纯化水加热蒸发形成蒸气，通过隔沫装置后，冷凝形成蒸馏水，再加热蒸发成蒸气，冷凝后得重蒸馏水，蒸馏水的生产是通过各种类型的蒸馏水器来完成的。
②反渗透法制备注射用水：常用醋酸纤维膜、聚酰胺膜等反渗透的机理，制备注射用水。
③综合法制备注射用水可将各种原水处理法、注射用水制备方法进行组合，以实现最佳效果为了提高注射用水的质量，可采用综合法，原则是保证质量、降低成本。
第3题：
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。
第4题：
填空题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
正确答案：
涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶
解析：
暂无解析
第5题：
简述工作日写实的步骤及每一步骤的基本内容。
正确答案: （1）选择，是根据目的去确定写实对象。
（2）记录，是在确定写实对象的基础上，将写实对象的具体的情况填入有关记录，应在观察日之前完成。
（3）观察，是在预先确定的观察日，在规定轮班内，按时间顺序观察并记录写实对象的工作日。
（4）整理，是将观察的结果加以分类，整理，汇总，按消耗工时的不同性质将发生时间加以区别，求出其占总时间比例。
（5）总结，是对整理的资料加以分析研究，发现问题，寻找原因，制定对策，落实任务，检查总结，以求改进。
第6题：
简述光刻工艺流程。
正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗
第7题：
简述推销步骤及每一步骤的具体目标要求。
正确答案: 寻找潜在顾客。推销对象必须满足两个条件：
（1）所有的购买个人或单位必须能够从所购买的产品中获得利益。
（2）有足够的购买能力。
顾客资格审查。内容包括：
（1）购买需求审查；
（2）支付能力审查；
（3）购买人资格审查。
接近前的准备。按照准顾客的类型分为：
（1）个体顾客的接近准备；
（2）团体顾客的接近准备；
（3）常顾客的接近准备。
约见。指推销员事先征得顾客同意接见的行动过程。
（1）约见的内容：①确定访问对象②明确访问目的③安排访问时间④选择访问地点。
（2）约见方法：①面约②函约③电约④托约⑤广约。
接触。接触顾客的方法：
（1）介绍接触法；
（2）产品接触法；
（3）利益接触法；
（4）好奇接触法；
（5）问题接触法。
面谈。基本原则：
（1）针对性原则；
（2）精确性原则；
（3）参与型原则；
（4）和气原则；
（5）鼓动性原则；
（6）真实性原则；
（7）灵活性原则。
处理顾客异议。基本策略：
（1）欢迎顾客提出异议；
（2）科学地预测顾客异议；
（3）认真分析顾客异议
（4）回避与成交无关或关系不大的异议；
（5）避免与顾客争吵或冒犯顾客；
（6）选择好处理顾客异议的最佳时机。
成交。基本策略：
（1）善于捕捉成交信号，及时成交；
（2）灵活机动，随时成交
（3）谨慎对待顾客的否定回答；
（4）充分利用最后的成交机会；
（5）留有一定的成交余地。
第8题：
光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
正确答案:前烘；显影；去胶
第9题：
问答题
简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
正确答案：
P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线。
解析：
暂无解析
第10题：
问答题
简述光刻胶的概念及目的
正确答案：
概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化
目的：
（1）将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
（2）在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）
目的：
（1）将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
（2）在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）
解析：
暂无解析